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我国科学家研制出新型锑化物半导体量子阱激光器

编辑:大三巴 来源:大三巴 创发布时间:2021-06-29阅读33847次
  本文摘要:据国家科技部信息,在我国973计划、自然科学基金委重点项目等抵制下,中科院半导体材料研究室牛智川研究者精英团队深入分析锑化物半导体器件的基础物理、异质结低维原材料外延性生长发育和光学器件的制得技术性等,提升了锑化物量子阱激光器的光刻技术与浸蚀等关键生产工艺。

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据国家科技部信息,在我国973计划、自然科学基金委重点项目等抵制下,中科院半导体材料研究室牛智川研究者精英团队深入分析锑化物半导体器件的基础物理、异质结低维原材料外延性生长发育和光学器件的制得技术性等,提升了锑化物量子阱激光器的光刻技术与浸蚀等关键生产工艺。在这个基础上,科学研究精英团队设计创意金属材料光栅尺侧面藕合产自系统对(LC-DFB)构造,成功搭建了2μm股票波段性能卓越多模激光器,边模诱发比超过53dB,是现阶段类似器件的最大值;并且输出功率超过40mW,是现阶段类似器件的3倍之上。在锑化物量子阱功率大的激光器层面,FP腔量子阱功率大的激光器多管和巴条部件各自搭建1.62瓦和16瓦的室内温度到数输出功率,综合型能超过国际性一流水准并提升海外高档激光器進口允许特性的要求条文。该科研成果占领了中短波红外线激光器行业核心技术,在危险因素可燃气体检测、环保监测、诊疗与激光切割加工等众多高新科技产业链具有非常广阔的运用于使用价值。


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